Profil
- Entwicklung von Messgeräten und -verfahren für dimensionelle Messungen an 2D-Maßverkörperungen mit Mikrostrukturteilungen
- Untersuchung und Verbesserung von hochauflösenden Messverfahren zur Lokalisierung von Mikro- und Nanostrukturkanten
- Kalibrieren von Photomasken, Objektmikrometern, Gitterteilungen sowie sonstigen ebenen Messobjekten
Forschung/Entwicklung
Dimensionelle Metrologie an Photomasken- und Halbleiterstrukturen
Dimensionelle Metrologie mit dem Rasterelektronenmikroskop (REM)
- Entwicklung von anwendungsspezifischen Kantenoperatoren
- Untersuchungen zur Charakterisierung des Justagezustandes eines REM
- Untersuchung und Kalibrierung von nanostrukturierten Gitterteilungen
- Charakterisierung von REM-Scangeneratoren
Entwicklung von Strukturbreiten-Maskennormalen (CD-Normale)
Optische Längen- und x-y-Koordinatenmessung auf ebenen Messobjekten
- Nano3: Internationaler Strichmaßvergleich
- Untersuchungen zur Strukturbreiten-Maßübertragung
- Hochgenaue Längenmaßweitergabe auf 1D- und 2D-Objekten
- Untersuchungen an Normalen zur Bestimmung der lithografischen Verkleinerung
Rastersondenmikroskopie an größeren planaren Messobjekten
- Messtechnische Eigenschaften der Nanostation 300
- Entwicklung von kantensensitiven Messverfahren
Dienstleistungen
Mess- und Kalibriermöglichkeiten
Das Leistungsangebot für Kalibrierungen und Prüfungen ist im Qualitätsmanagementhandbuch aufgeführt. Auf Seite 8 und 9, Positionen 083 bis 090, sind die Werte der Arbeitsgruppe 5.22 zu finden.
1D und 2D-Präzisionsteilungen
Präzisionsstrichmaßstäbe, Masken, Mikrostrukturen
Messgröße / Gegenstand | Messverfahren/ | Messbereich | Messunsicherheit (k=2) |
Teilstrichabstände auf Strichmaßstäben | LMS 2020 | bis 280 mm | Q[10; 0,15L] in nm; |
Teilstrichabstände auf Objektmikrometern | LMS 2020 | bis 10 mm | 50 nm |
2D-Positionen von Mikrostrukturen auf Masken | LMS 2020 | bis 200 mm | Q[10; 0,2L] in nm; |
Abweichungen von Sollpositionen von Mikrostrukturen auf Masken | LMS 2020 | bis 200 mm | 10 nm |
Linienbreiten von Mikrostrukturen, optisch in Reflexion | LMS 2020 | > 0,5 µm | > 50 nm |
Linienbreiten von Mikrostrukturen, REM | EOMS | > 0,1 µm | > 20 nm |
Mittlere Periodenlängen von Gitterteilungen | EOMS | Periodenlängen > 100 nm | > 1 nm |
