
Forschung/Entwicklung
Innovative Tastsensoren
- Piezoresistive Si-Mikrotaster für schnelle Rauheitsmessungen in Düsen und Bohrungen mit Durchmessern kleiner 100 µm (Profilscanner für Strukturen mit großem Aspektverhältnis) [1].
EMPIR-Projekt Micro probes
- Mikro-Elektro-Mechanische-Systeme (MEMS) mit denen kleine Auslenkungen und Kräfte im Nanobereich gemessen werden können [2]. Anwendungsbereiche: schnelle Oberflächenmessung [3], oberflächennahe Messung von E-Modul und Härte [4] und Kalibrierung der Steifigkeit von AFM-Cantilevern [5]
- Rückgeführtes, linear luftgelagertes Tastsystem (Lupo), das Antastkräfte im Bereich von 50 µN bis 700 µN erlaubt (taktiles Referenzmessgerät HRTS [6]).
Bei weichen Materialien ist für die Bestimmung von geometrischen Größen mittels taktiler Verfahren ein besonderes Augenmerk auf die Tastspitzenform und die Tastkräfte in Verbindung mit den Materialeigenschaften zu richten [7], [8].
Referenznormale zur Kalibrierung der Antastkraft, des Spitzenradius und der z-Messachse
- Si-Mäander-Referenzfedersensoren [9], [10] zur Kalibrierung der Antastkraft von Koordinatenmessgeräten, Nanoindentern und AFM
- MEMS-Doppelfedersensoren zur Kalibrierung der Antastkraft und Auslenkung von Tastschnittgeräten, Nanoindentern und AFM [11]
- Tastspitzenprüfnormal für die Kalibrierung des Radius und der 2D-Form von Diamanttastspitzen konventioneller Tastschnittgeräte und von speziellen Silizium-Tastspitzen (
Flyer_Tastspitzenprüfnormal_PTB_2017) [12]
Nanoindentationstechnik mit MEMS-Sensoren
- Entwicklung von MEMS-Aktoren mit kapazitiver Wegmessung [4]
- Entwicklung eines Picoindenters für nanoelektromechanische Messung von Nanomaterialien im Rahmen des EMPIR Projektes NanoWires „High throughput metrology for nanowire energy harvesting devices“ (
https://www.ptb.de/empir2020/nanowires/home/)
Dienstleistungen
Informationen
Geräte und Aufbauten
Referenz-Tastschnittgerät (HRTS)
| Kurzbezeichnung
Prinzip
Erweiterte Messunsicherheit (k = 2)
Messbereich | HRTS
luftgeführter Taster mit variabler Antastkraft (100 µN – 700 µN) und interferometrischer Auslenkungsmessung
6 nm (2D) 33 nm (3D) 35 nm (Radius) 50 x 50 mm² x |
Profilscanner
| Kurzbezeichnung
Prinzip
Erweiterte Messunsicherheit
Messbereich | Profilscanner
Piezoresisitiver Si-Mikrotaster mit geregelter Antastkraft (Fmin = 1 µN) und interferometrischer Positionsmessung
10 nm (3D)
800 x 800 x 250 µm³ |
Mikrokraftmesseinrichtung
| Kurzbezeichnung
Prinzip
Erweiterte Messunsicherheit Messbereich | MKME
Steifigkeitsmesseinrichtung mit Kompensationswaage und Nanopositionierer
4 % (Steifigkeit) 3,5 % (Auslenkung) 3 % (Kraft) Maximum: 500 mN, 90 µm Minimum: 50 nN, 50 nm |
Nanoindenter Hysitron TI950
Kurzbezeichnung
Prinzip
Erweiterte Messunsicherheit
Messbereich | TI950
Instrumentierte Eindringprüfung 2 % (Kraft) 2 % (Eindringtiefe) 2 % (Steifigkeit) F: 1 µN…10 mN |