Molekularstrahl-Epitaxieanlage MBE 1
Mit einer MBE-Anlage des Typs "Modular Gen II" werden Halbleiter-Schichtkristalle auf Basis von Gallium-Arsenid hergestellt. Neben Quellen für die Materialien Gallium, Arsen und Aluminium verfügt die Anlage auch über Silizium und Berylliumquellen für die n- und p-Dotierung sowie für Indium und Mangan. Die Anlage kann Substrate mit einem maximalen Durchmesser von 3" (75 mm) aufnehmen.
Vakuum-Schleusensystem der MBE-Anlage | Einschleusen eines Substrat-Wafers in die MBE-Anlage |
Wachstumskammer der | Wachstumskammer der MBE-Anlage | |
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