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Molekularstrahlepitaxie (MBE)

Arbeitsgruppe 2.53

Molekularstrahl-Epitaxieanlage MBE 1

Mit einer MBE-Anlage des Typs "Modular Gen II" werden Halbleiter-Schichtkristalle auf Basis von Gallium-Arsenid hergestellt. Neben Quellen für die Materialien Gallium, Arsen und Aluminium verfügt die Anlage auch über Silizium und Berylliumquellen für die n- und p-Dotierung sowie für Indium und Mangan. Die Anlage kann Substrate mit einem maximalen Durchmesser von 3" (75 mm) aufnehmen.

Vakuum-Schleusensystem der MBE-Anlage



Vorgereinigte Halbleitersubstrate ("Wafer") werden in einem mehrstufigen Schleusensystem weiter gereinigt und schließlich in die Wachstumskammer transferiert.


Einschleusen eines Substrat-Wafers in die MBE-Anlage
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(JPG 132 KB)

Wachstumskammer der
MBE-Anlage


Nach dem Transfer in diese Kammer werden auf dem Wafer bei einer Temperatur von typischerweise 600° C verschiedene Halbleiterschichten aufgewachsen. Dies ist bis auf eine Atomlage genau kontrollierbar.


Wachstumskammer der MBE-Anlage
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Mit der MBE 1 werden alle Heterostrukturen hergestellt, die für elektrischen und Magneto-Transport Untersuchungen bestimmt sind, insbesondere für Quanten-Hall Widerstandsbauelemente. Weiterhin werden Heterostrukturen für optische Anwendungen (Arbeitsgruppe 2.54) und magnetische Halbleiter aus GaMnAs gewachsen (Arbeitsgruppe 2.52). Besonders reine GaAs-Kristalle werden mit der Opens internal link in current windowMBE 2 hergestellt.