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Optimierte ballistische Bitansteuerung für ultraschnelle Magnetspeicher

07.12.2006
Simulationsrechnungen belegen die hohe Fehlertoleranz des an der PTB entwickelten ultraschnellen Programmierverfahrens für magnetische Speicherchips (MRAM).
Kürzlich wurde an der PTB die ballistische Bitansteuerung vorgeschlagen, ein Verfahren, mit dem magnetische Speicherchips (MRAM für Magnetic Random Access Memory) mit sehr hoher Taktrate im GHz-Bereich betrieben werden können. In weiterführenden theoretischen Untersuchungen konnte nun gezeigt werden, dass die ballistische Bitansteuerung nicht nur ein schnelles Programmieren der MRAM Zellen ermöglicht, sondern auch eine große Fehlertoleranz der Programmierpulse erlaubt. Dabei ergab sich, dass selbst eine Variation der Pulsamplitude um bis zu ± 32 % noch ein zuverlässiges und schnelles Programmieren der magnetischen Speicherzelle ermöglicht [1]. Diese große Toleranz gegenüber Variationen der Programmierparameter ist ein entscheidender Faktor für die industrielle Anwendung der Methode.
Ein neuer, zur Zeit im Aufbau befindlicher Messplatz wird es außerdem ermöglichen, die ultraschnelle Dynamik magnetischer Speicherzellen bis hin zu Frequenzen von 20 GHz zu messen und so das Konzept der ballistischen Bitansteuerung an einzelnen MRAM Zellprototypen zu testen.

Referenzen:
[1] IEEE Trans. Magn., Vol. 42, 2760 (2006)