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Temporekord bei magnetischen Speicherchips

30.12.2005

In einem MRAM wird die digitale Information nicht, wie in den heute üblichen Speicherchips, in Form elektrischer Ladungen gespeichert, sondern über die Orientierung der Magnetisierung in magnetischen Zellen. Dadurch kann ein MRAM die Datennichtflüchtig speichern - die Informationen bleiben auch bei Ausschalten der Stromversorgung erhalten. Dies bietet beträchtliche Vorteile, weil zum Beispiel der zeitaufwändige Systemstart von Rechnern umgangen werden kann, auch wenn die aktuellen MRAM-Prototypen noch nicht mit den schnellsten flüchtigen SRAM-Speichern mithalten können.

Ein schnellerer MRAM-Betrieb wurde bislang durch magnetische Anregungen verhindert, die während des Schreibvorgangs entstehen und nur langsam abklingen. Ein neu entwickeltes MRAM-Programmierverfahren ermöglicht es nun, diese magnetischen Anregungen während des Schreibvorgangs weitestgehend zu unterdrücken. Durch diese sogenannte "Ballistische Bitansteuerung" ist der Schreibvorgang in weniger als 500 ps abgeschlossen, und MRAM-Chips mit Taktraten von mehr als 2 GHz sind möglich.