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Bestimmung der Rauheit von Linienprofilen mit Hilfe der Scatterometry

13.12.2013

In der Scatterometry können kritische Strukturgrößen von lithographischen Masken indirekt vermessen werden. Bisher wurden Verfahren entwickelt, die es ermöglichen die Breiten von Linien und deren Schichtdicken mit einer Genauigkeit von nur wenigen Nanometern zu bestimmen. Mit einem erweiterten Auswerteverfahren ...

In der Scatterometry können kritische Strukturgrößen von lithographischen Masken indirekt vermessen werden. Bisher wurden Verfahren entwickelt, die es ermöglichen die Breiten von Linien und deren Schichtdicken mit einer Genauigkeit von nur wenigen Nanometern zu bestimmen. Mit einem erweiterten Auswerteverfahren konnte erstmals auch die Kantenrauheit von Linien aus Scatterometriedaten bestimmt und mit vorhandenen direkten rastermikroskopischen Messungen verglichen werden. Damit ist eine weitere wichtige Kenngröße zur Beurteilung der Qualität von Masken, die in der Halbleiterindustrie zum Einsatz kommen, mit einem schnellen und schonenden Verfahren bestimmbar.

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