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Vereinbarung zur EUV-Reflektometrie mit ZEISS um weitere vier Jahre verlängert

15.09.2020

Ein wichtiges Arbeitsfeld der PTB an ihrem Standort Berlin-Adlershof ist die messtechnische Unterstützung der deutschen und europäischen Industrie bei der Entwicklung der EUV-Lithographie für die Halbleiterfertigung. Die seit 1998 bestehende enge Zusammenarbeit mit ZEISS bildet eine wichtige Grundlage für die kontinuierliche Weiterentwicklung der messtechnischen Fähigkeiten der PTB im extrem-ultravioletten Spektralbereich (EUV). Auf Basis der Nutzung von Synchrotronstrahlung zur Radiometrie, Reflektometrie und Scatterometrie sowie Kombinationen dieser und weiterer analytischer Verfahren zu Hybridmethoden, entwickelt die PTB neue messtechnische Lösungen z.B. für die Halbleitertechnik und stellt ihre

Ein wichtiges Arbeitsfeld der PTB an ihrem Standort Berlin-Adlershof ist die messtechnische Unterstützung der deutschen und europäischen Industrie bei der Entwicklung der EUV-Lithographie für die Halbleiterfertigung. Die seit 1998 bestehende enge Zusammenarbeit mit ZEISS bildet eine wichtige Grundlage für die kontinuierliche Weiterentwicklung der messtechnischen Fähigkeiten der PTB im extrem-ultravioletten Spektralbereich (EUV). Auf Basis der Nutzung von Synchrotronstrahlung zur Radiometrie, Reflektometrie und Scatterometrie sowie Kombinationen dieser und weiterer analytischer Verfahren zu Hybridmethoden, entwickelt die PTB neue messtechnische Lösungen z.B. für die Halbleitertechnik und stellt ihre Messdienstleistungen ihren zahlreichen Kooperationspartnern aus Forschungsinstituten oder der Industrie zur Verfügung.

Mit der Unterzeichnung des nunmehr 9. Nachtrags zu der ursprünglichen Vereinbarung wurde die Zusammenarbeit mit ZEISS bis Ende 2024 verlängert. Durch eine Modernisierung der EUV-Strahlführung im PTB-Laboratorium bei BESSY II soll während der Vertragslaufzeit die spektrale und räumliche Reinheit der monochromatisierten Strahlung verbessert werden. Davon wird die Entwicklung neuartiger Messverfahren (basierend auf gut etablierten Messtechniken) für die Untersuchung strukturierter Oberflächen profitieren. Die gegenüber dem sichtbaren Licht kürzere Wellenlänge im EUV Spektralbereich eröffnet neue Möglichkeiten zur Vermessung von Nanostrukturen auf Halbleitermaterialien. Neben dem für die Lithographie bedeutenden Wellenlängenbereich um 13,5 nm umfasst der Arbeitsbereich dieser Strahlführung auch den Spektralbereich des “Wasserfensters“ (2,3 nm bis 4,4 nm). Über diesen gesamten Spektralbereich entwickelt die PTB mikroskopische Analysemethoden mit kurzer Wellenlänge für die Halbleitertechnik, die zukünftig auch für weitere Technologiefelder wie z.B. die Medizintechnik (“Wasserfenster“) relevant werden können.

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