16.03.2010
Die scatterometrischen Messverfahren der PTB ermöglichen eine indirekte Messung kritischer Strukturgrößen von lithografischen Masken mit einer Genauigkeit im Nanometerbereich. Um den Einfluss der Schwankung von Modellparametern auf die Messunsicherheit zu quantifizieren, wurden Monte-Carlo Simulationen bei der Auswertung der Messungen durchgeführt. Es zeigt sich insbesondere für Messungen mit Streulicht im extrem ultravioletten Wellenlängebereich (~13.5 nm), dass geringe Schwankungen der geometrischen Modellparameter die Unsicherheiten der rekonstruierten Profilparameter dominieren. Die Modelluntersuchungen zeigen zudem, welche Kenngrößen der Masken relativ robust gegenüber diesen systematischen Einflüssen sind.
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