EUVR, EUV-SAS
Bei der EUVR werden ähnlich wie bei der Röntgenreflektometrie die Reflektivitäten von Schichtstapeln Winkel- und Energieabhängig untersucht. Die Reflektometrie ist die Hauptmethode zur „At-Wavelength-Untersuchung“ von Komponenten für die EUV Lithographie bei der PTB. Neben der Entwicklung leistungsstarker EUV Strahlungsquellen ist die Herstellung geeigneter optischer Komponenten eine große Herausforderung. Es gibt keine für EUV Strahlung transparente Materialien. Daher können nur Spiegel als optische Komponenten eingesetzt werden. Durch die Verwendung von periodischen Vielfachschichten als Bragg Reflektoren kann dabei auch ein ausreichender Reflexionsgrad erreicht werden.
Durch die Rekonstruktion der Interferenzmuster der Reflektierten Strahlung können die Schichtsysteme auf ihre Schichtdicken, Rauhigkeiten und Homogenitäten untersucht werden.
Bei der Unterschung von periodischen Nanostrukturen können, durch die weichere Strahlung im EUV Bereich, die benötigten Einfallswinkel im Streuexperiment deutlich erhöht werden (EUV-SAS). Die größeren Winkel ermöglichen es den Messfleck auf den Proben damit signifikant zu reduzieren.
(weitere Informationen 
EUV-Radiometrie 7.12)
| Energy range: | 50 eV - 1800 eV |
| Photon flux: | 10^10 / s (max at 100 eV and 1 keV) |
| beam waist: | 0.3 mm x 1 mm (can be slightly restricted) |
| Divergence: | < 2 mrad (horizontal) < 0.2 mrad (vertical) |
| Energy resolution: | 10^-4 |
EUV-Ellipso-Scatterometer
- Different photodiodes mounted on a movable detector arm
- Lubricant free instrument
- Options for CCD mounting on fixed flange positions (horizontal & vertical)
| Scattering angles in plane: | 0° - 180° |
| Scattering angles out of plane: | -10° - 180° |
| Sample-Detector distance | 300 mm |
EUV-SAS (small angle-scattering chamber)
Commissiong planned around 2/20
| Scattering angles in plane: | 0° - 30° |
| Sample-Detector distance | 20 mm |
| Detector | Andor CCD (13.5 µm pixel size) |
| Spot size at exp | 0.1 mm |