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EUV-Nanometrologie

Arbeitsgruppe 7.14

Profil

Die EUV-Nanometrologie Arbeitsgruppe beschäftigt sich mit der Entwicklung neuer Messtechniken im Bereich der Synchrotronstrahlung für die Charakterisierung nanostrukturierter Oberflächen. Ein Schwerpunkt bildet dabei die dimensionelle Rekonstruktion optischer Komponenten für die Halbleiterlithographie. Hierfür werden im Wellenlängenbereich von 0.1 nm bis 20 nm verschiedene experimentelle Techniken an den PTB eigenen Strahlrohren bei BESSY II und der MLS miteinander kombiniert. Neben Lichtstreuung und Reflektion (GISAXS, EUV-SAS, Scatterometry, XRR) werden zunehmend auch Sekundäreffekte wie Fluoreszenz Strahlung mit einbezogen (GIXRF, XRF) um die immer komplexer aufgebauten Nanostrukturen elementsensitiv untersuchen zu können.

Abb.: Schematische Darstellung des Messprinzips der kombinierten Methodik aus GIXRF und dem FEM-Maxwell-Solver zur Berechnung der elektrischen Feldstärkeverteilun

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Forschung/Entwicklung

- Charakterisierung nanostrukturierter Oberflächen mittels Lichtstreuung und Fluoreszenzanregung

- Dimensionelle Rekonstruktion von 2D und 3D Nanostrukturen

- Statistische Validierung von Unsicherheiten durch bayessche Statistikverfahren

- Untersuchung von prozessbedingten Rauhigkeiten und ihrem Einfluss auf die Rekonstruktion

- Bestimmung von optischen Konstanten im weichen Röntgenbereich

- Weiterentwicklung von theoretischen Modellen für die Streuung und der Optimierungsverfahren

 

 

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