| Titel: |
Challenges in nanometrology: high precision measurement of position and size |
| Autor(en): |
H. Bosse, B. Bodermann, G. Dai, J. Fluegge, C. G. Frasse, H. Gross, W. Haessler-Grohne, P. Koechert, R. Koening, F. Scholze, C. Weichert |
| Journal: |
Technisches Messen |
| Jahr: |
2015 |
| Band: |
82 |
| Ausgabe: |
7/8 |
| Seite(n): |
346-358 |
| Veranstaltungsname: |
Ilmenau, Germany |
| Veranstaltungsort: |
58th IWK - Ilmenau Scientific Colloquium: Shaping the Future by Engineering |
| Veranstaltungsdatum: |
08-12,September, 2014 |
| ISSN: |
0171-8096 |
| Zusammenfassung: |
Recent developments of the PTB in high precision position and size metrology as support for different nanotechnology applications are described. Measurement uncertainties of 1-2 nm for 1D-position of graduation lines on photomasks, or on line scales and incremental encoders of about 300 mm length have been achieved. The measurement of the size of nanoscale features represents additional challenges, because the location of opposite feature edges needs to be precisely determined. Different feature size or CD metrology techniques are applied at PTB, including a recent approach which uses transmission electron microscopy in the traceability chain of AFM CD measurements. The estimated uncertainty for CD measurements on high quality Si line structures is U95% = 1.6 nm.Es wird über Entwicklungen der PTB für die hochgenaue Bestimmung der Position und Größe von Nanostrukturen zur Unterstützung verschiedener Anwendungen der Nanotechnologie berichtet. Dabei wurden Messunsicherheiten von 1-2 nm für die 1D-Position von Strukturteilungen auf Fotomasken, Strichmaßstäben und inkrementalen Encodern von ca. 300 mm Länge erreicht. Die Messung der Größe von Nanostrukturen erfordert die exakte Bestimmung der Lage gegenüberliegender Objektkanten. Verschiedene Methoden zur Größenbestimmung (CD-Metrologie) werden in der PTB angewandt. Hierbei wird auch ein Ansatz verfolgt, bei dem AFM-Strukturbreitenmessungen auf transmissionselektronenmikroskopische (TEM) Messungen an Si-Linienstrukturen rückgeführt werden. Die hierfür abgeschätzte Messunsicherheit beträgt U95% = 1,6 nm. |
