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Übersichtsartikel: Quantitative Mikroskopie und dimensionale Nanometrologie

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Artikel

Titel: Charakterisierung von Nanostrukturen auf Substraten der Halbleiterindustrie
Autor(en): B. Bodermann, J. Flügge, H. Groß, A. Kato, F. Scholze
Journal: PTB-Mitteilungen: 121
Jahr: 2011
Ausgabe: 2
Seite(n): 152-164
ISSN: 0030-834X
Zusammenfassung: Dieser Artikel gibt einen Überblick über die aktuellen Aktivitäten der PTB im Bereich der Charakterisierung von Nanostrukturen auf Substraten der Halbleiterindustrie.Moderne, hochintegrierte Schaltkreise zählen zu den komplexesten industriell hergestellten nanotechnologischen Produkten. Die Halbleitertechnik stellt dabei höchste Herausforderungen an die Weiterentwicklung bestehender sowie die Entwicklung neuer Messtechnik für nanostrukturierte Oberflächen. Die Funktionalität der Bauelemente ist entscheidend von den Strukturdimensionen abhängig. Die wichtigsten Messgrößen hierbei sind die Breiten und die Abstände der Strukturen sowie die Strukturposition auf der Oberfläche. Mit der fortschreitenden Reduktion der Strukturdimensionen gehen entsprechend steigende Anforderungen an die Reproduzierbarkeit und die Messunsicherheit einher. Die dimensionelle Messtechnik in diesem Anwendungsfeld muss dabei einerseits möglichst umfassende Informationen über die Strukturen liefern können und andererseits sehr schnell und zerstörungsfrei arbeiten, um in den industriellen Fertigungsprozess integriert werden zu können.In der PTB werden hierfür verschiedene optische, elektronenoptische und taktile Mikroskopieverfahren sowie die scatterometrische Verfahren vom sichtbaren bis in den EUV Spektralbereich eingesetzt und permanent weiterentwickelt. Die verschiedenen Messsysteme werden vorgestellt, die in der PTB für die Charakterisierung dieser Strukturen entwickelt wurden und eingesetzt werden. Der aktuelle Stand dieser Metrologiesysteme wird diskutiert und neuere Ergebnisse werden präsentiert.

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