Die Molekularstrahl-Epitaxieanlage vom Typ „Compact 21 HM“ ist besonders für das Wachstum von hochreinen GaAs-Schichtkristallen konzipiert worden. Damit werden sehr spezielle Halbleiter-Proben hergestellt, die im Rahmen des Einzelelektronen-Transport Projekts benötigt werden und zur Darstellung der elektrischen Stromstärke-Einheit Ampere dienen. Ein Maß für hohe Reinheit der Kristalle ist die Elektronenbenweglichkeit in zweidimensionalen Elektronengas-Strukturen, die mit über 12 Millionen cm2/Vs fünfmal größer ist als für Proben aus der MBE 1.
| Besonders auffällig ist die sehr große Kryo-Pumpe, mit der ein extrem gutes Vakuum in der Wachstumskammer erzeugt wird. Dadurch wird die Reinheit der hergestellten Kristalle deutlich verbessert. |  Die neue MBE-Anlage mit vertikalem Design |
|
|
Die MBE-Anlage in Ausbackhüllen |
