Logo PTB

Quantenelektronik

Arbeitsgruppe 2.41

Herstellungstechnologie
im Reinraumzentrum

Ätzanlagen

Für die Strukturierung von Metall- und Isolatorschichten mit Abmessungen im Mikro- und Submikrometerbereich werden hauptsächlich Trockenätzverfahren eingesetzt.

Reaktives Ionenätzen

In einer hochfrequenten Niederdruck-Gasentladung eines geeigneten Gases, z.B. CF4, werden reaktive Ionen erzeugt und auf die zu ätzende Schicht beschleunigt. Die reaktiven Ionen bilden durch eine chemische Reaktion mit der Schicht ein gasförmiges Ätzprodukt. Durch Variation der Plasmaparameter Gasdruck und Hochfrequenzleistung kann sowohl isotropes als auch anisotropes Ätzverhalten eingestellt werden.

Ionenstrahlätzen

Mit Hilfe einer Ionenstrahlquelle wird ein homogener Ionenstrahl erzeugt und auf die zu ätzende Probe gerichtet. Bei Verwendung von Ionen eines Edelgases wie Argon ergibt sich ein rein physikalischer Ätzprozeß. Die Ionenstrahlquelle kann zur Strukturierung beliebiger Schichtsysteme eingesetzt werden, da keine chemische Reaktionen nötig sind.