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Einzelladungs-Schaltungen

Arbeitsgruppe 2.42

Herstellung von metallischen sub-µm-Strukturen

Planarisierungstechniken

1.) Niob Trilayer-Technik mit "Spin-on-Glass" Planarisierung

Bei dieser Technik werden aus großflächig erzeugten Nb/AlOx/Nb-Schichten durch Ätzverfahren kleine Strukturen erzeugt und anschließend planarisiert.





REM-Aufnahme eines Nb/AlOx/Nb-Transistors in SOG Technik

 

2.) Niob Trilayer-Technik mit "CMP" Planarisierung

Bei dieser Technik wird das "Spin-on Glass" durch eine SiO2-Schicht ersetzt, die durch chemisch-mechanisches Polieren (CMP) planarisiert wird.


REM-Aufnahme eines Nb/AlOx/Nb-Transistors in CMP Technik


 

Literatur:

A. B. Pavolotsky, T. Weimann, H. Scherer, J Niemeyer und A. B. Zorin, "Novel Method for Fabricating Deep Submicron Nb/AlOx/Nb Tunnel Junctions Based on Spin-on Glass Planarization", IEEE Trans. Appl. Supercond. 9 (2), 3251 (1999).

R. Dolata, H. Scherer, A. B. Zorin and J. Niemeyer, "Single-charge devices with ultrasmall Nb/AlOx/Nb trilayer Josephson junctions", J. Appl. Phys. 97, 054501 (2005).