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Einzelladungs-Schaltungen

Arbeitsgruppe 2.42

Herstellung von metallischen sub-µm-Strukturen

Lithographie mit dem Raster-Transmissions-Elektronen-Mikroskop (RTEM)

Mit Hilfe des RTEM können sehr schmale Linien mit Strukturbreiten < 10 nm erzeugt werden. Von Nachteil ist jedoch die aufwändige Präparation der dafür notwendigen Membransubstrate.

Transmissionselektronenmikroskopische Aufnahme einer 8 nm breiten Leiterbahn



Transmissionselektronenmikroskopische Aufnahme eines SET-Transistors