Ahmed Abou-Zeid
Die Entwicklung von Diodenlasern (Halbleiterlasern) wird hauptsächlich durch die Massenproduktion für Anwendungen wie z. B. in der Unterhaltungselektronik und der faseroptischen Nachrichtenübertragung sowie von Laserdruckern, Barcode Scannern u. v. m. stimuliert. Die Hauptkriterien für solche Anwendungen von Diodenlasern sind die emittierte optische Leistung, die Betriebszuverlässigkeit und der Preis. Dagegen war deren ultimative Frequenzstabilität weniger von Bedeutung. Dies erschwerte den Forschritt zur Fertigung spezieller Diodenlaser für interferometrische Anwendungen.
Diodenlaser stellen im Vergleich zu den meist in der interferentiellen Längenmesstechnik verwendeten He-Ne-Lasern eine interessante Alternative dar. Dies gilt insbesondere in Bezug auf Miniaturisierung, Lebensdauer, Kosten, Wirkungsgrad, Strahlungsleistung und hochspannungsfreiem Betrieb. Als nachteilig erweist sich bei Diodenlasern die Streuung der Emissionswellenlängen, die auch bei Dioden der gleichen Charge in einem Bereich von etwa 10 nm liegt. Außerdem ist die Emissionswellenlänge relativ stark von Parametern, wie der Temperatur der Diodenwärmesenke und des lnjektionsstroms abhängig. Andere Nachteile sind die spektrale Alterung der emittierten Wellenlänge, die relativ starke Rücklichtempfindlichkeit sowie das elliptische Strahlprofil. Diese Nachteile können durch geeignete Verfahren zur Frequenzstabilisierung sowie Verwendung zusätzlicher Optiken kompensiert werden, um von den vielen Vorteilen von Diodenlasern für den Einsatz in der interferentiellen Längenmesstechnik profitieren zu können.