Technologieangebot
Titel MRAM mit hoher Taktrate
Erläuterung Eine spezielle Verschaltungs- und Ansteuerungstechnik ermöglicht Taktraten bis zu 2 Gbit/s bei MRAM Bauelementen
Zusammenfassung Magnetische 'Random Access Memories' (M-RAM) sind die wichtigsten neuen Bausteine im Markt der Computer-Speicherchips. Herausragende Merkmale sind die Speicherfähigkeit im stromlosen Zustand (non-volatile), niedriger Energieverbrauch, kurze Zugriffszeit und unbegrenzte Beschreibbarkeit. Kommerzielle MRAM sind seit Anfang 2005 verfügbar. Die Erfindung hebt die Beschränkung auf eine Schreibgeschwindigkeit von minimal 2 ns auf. Durch eine spezielle Chip-Beschaltung verbunden mit einer dynamischen Ansteuerung der Bauelemente wird die Ansprechzeit auf unter 500 ps gesenkt. Dies entspricht 2 Gbit Datenrate. Als zusätzlicher nützlicher Nebeneffekt ergibt sich eine verringerte Leistungsaufnahme, thermische Belastung und eine geringere Bit-Fehler-Rate.
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Jahr 2004
Erfinder Schumacher, Hans Werner
Verlauf des Patentverfahrens EP 1 684 305 ; 2005-01-14
EP 1 684 305 A1 ; 2006-07-26
EP 1 684 305 B1 ; 2011-05-11
PCT EP 2005 014108 ; 2005-12-29
WO 2006 074810 A1 ; 2006-07-20
US 2008 0043518 A1 ; 2008-02-21
US 7646 634 B2 ; 2010-01-12
IPC-Code G11C011-015
PTB-Zeichen 0092
Verwertungsinfo LIZENZ VERFÜGBAR
Kontakt Dr. Bernhard Smandek, Tel.: +49 531 592 8303 Fax +49 531 592 69 8303; bernhard.smandek@ptb.de