Rennstrecke für schnelle Elektronen in Halbleiterstrukturen
Um die elektrischen Einheiten, wie Spannung, Widerstand und Stromstärke, mit höchster Präzision zu "machen", werden heutzutage Quanteneffekte in speziellen Nano-Schaltungen eingesetzt. Ein wichtiges Ausgangsmaterial dafür sind extrem reine Halbleiterschichten, in denen sich sehr mobile Elektronen nahezu unbehindert bewegen können ohne mit Fremdatomen zusammenzustoßen. Um für zukünftige Entwicklungen im Bereich der elektrischen Quantenmetrologie gerüstet zu sein, hat die PTB eine neue Molekularstrahlepitaxie-Anlage in Betrieb genommen, die für die Herstellung von Halbleiterschichten optimiert ist, die noch reiner sind als die bisherigen. Schon in den ersten Testschichten wurden extrem schnelle Elektronen beobachtet, mit einer Beweglichkeit, die mehr als fünfmal so hoch ist wie bisher. Die PTB baut damit ihre führende Stellung in der elektrischen Quantenmetrologie mit Halbleiterstrukturen aus.
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