Physikalisch-Technische Bundesanstalt

Autor: Jan Oliver Löfken

"EUV" heißt die Hoffnung der Chiphersteller. Das Kürzel steht für extrem ultraviolettes Licht mit Wellenlängen zwischen 11 und 13 Nanometern. Es soll die Transistordichte pro Chip mit einem Schlag vervielfachen. "EUV ist die einzige offenkundige Option für die Herstellung von hochdichten Halbleiter-Elementen", stellt Peter J. Silverman vom Chip-Konzern Intel fest. "Und hier am BESSY haben wir eine zuverlässige Strahlungsquelle, mit der wir optimal bei 13 Nanometern messen können", sagt Gerhard Ulm, EUV-Experte der PTB in Berlin. Beste Voraussetzungen, um die zahlreichen Hürden der EUV-Technologie in Zusammenarbeit mit der Industrie zu überwinden.

Denn bei 13 Nanometern lässt sich das Licht nicht mehr mit durchsichtigen Linsen auf die Chipmaske und den Siliziumrohling lenken. Die extreme UV-Strahlung wird von allen bekannten Linsenmaterialien einfach verschluckt. Statt dessen braucht man nun Spiegel, die bis auf den Bruchteil eines Nanometers exakt geschliffen und mit Silizium und Molybdän beschichtet sind. Ein ganzes System aus solchen asphärischen Reflexionsflächen kann das EUV-Licht wie gewünscht fokussieren. Ulm und seine Kollegen prüfen zusammen mit der Firma Zeiss im EUV-Lichtstrahl am BESSY die Reflexionseigenschaften solcher Spiegel.

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