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Nachrichten aus der Abteilung 8
Modellierung des Einflusses der Rauhigkeit von Linienstrukturen in der Scatterometrie
Die scatterometrischen Messverfahren der PTB ermöglichen eine indirekte Messung kritischer Strukturgrößen von lithografischen Masken mit einer Genauigkeit im Nanometerbereich. Zur Verbesserung der Auswerteverfahren, die die Bestimmung der Messunsicherheit einschliessen, wurde der Einfluss von Linienrauheit mittels 2D-FEM Simulationsrechnungen für typische EUV-Maskenstrukturen untersucht. Systematische Lichtintensitätsabnahmen bei zunehmendem Streuwinkel und bei größerer Rauheit konnten nachgewiesen und mittels eines exponentiellen Dämpfungsfaktors beschrieben werden.
Ansprechpartner:
H. Groß, FB 8.4; S. Heidenreich, FB 8.4; M.-A. Henn, FB 8.4; M. Bär, FB 8.4
© Physikalisch-Technische Bundesanstalt, letzte Änderung: 2012-01-11, Webmaster Abteilung 8
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