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Physikalisch-Technische Bundesanstalt

FachabteilungenAbt. 4 Optik 4.2 Bild- und Wellenoptik4.23 Höchstauflösende Mikroskopie > Entwicklung und Erforschung neuartiger überauflösender Dunkelfeldverfahren
Höchstauflösende Mikroskopie
Arbeitsgruppe 4.23

Höchstauflösende Dunkelfeld-Mikroskopie

In der optischen Mikroskopie gibt es aufgrund der Beugung eine prinzipielle Limitierung des Auflösungsvermögens. Bildsignale von nahe beieinander liegenden Strukturen überlagern sich, was zu einer Beeinträchtigung bei der Bestimmung der Positionen der Strukturkanten führt. So ist bei der Bestimmung von Strukturbreiten in der Größenordnung der optischen Wellenlänge oder kleiner speziell die Überlagerung der von den beiden Strukturkanten ausgehenden Bildsignale störend; damit verbunden ist eine vergrößerte Unsicherheit bei der Messung der Strukturbreite.

In der PTB ist ein Verfahren entwickelt worden, mit dem die gegenseitige Beeinflussung bzw. Überlagerung der Bildsignale von der rechten und linken Strukturkante weitgehend unterdrückt werden kann. Das Verfahren basiert auf alternierender Beleuchtung der Proben mit einem Laserstrahl bei streifendem Einfall. Die Beleuchtung ist so realisiert, dass der von der Probe direkt reflektierte Strahl nicht vom Mikroskop-Objektiv erfasst wird (Dunkelfeld-Abbildung, s. Abb. 1). Es zeigt sich, dass nennenswerte Dunkelfeldsignale bei einseitiger Beleuchtung nur für die beleuchtete Strukturkante erzeugt werden, wohingegen das Dunkelfeldsignal der der Beleuchtungsrichtung abgewandten Kanten stark unterdrückt ist. Bei alternierender Beleuchtung von links bzw. rechts kann man nacheinander Bilder der linken bzw. rechten Kante aufnehmen; die gegenseitige Überlagerung der Signale ist unterdrückt. Dadurch wird eine deutliche Verbesserung der Kantenlokalisation im Vergleich zu konventionellen Mikroskopie-Verfahren und damit auch eine Verringerung der Messunsicherheiten erreicht. Außerdem erlaubt dieses Verfahren auch die Messung der Breite von Strukturen, welche deutlich kleiner als die Abbe-Auflösungsgrenze des Mikroskops sind. Verschiedene Varianten in Transmission und Reflexion wurden demonstriert und getestet.

Abb. 1: Prinzip des AGID-Verfahrens

Abb. 2: Experimenteller Aufbau

Im Rahmen eines Projektes zusammen mit Vistec Semiconductor GmbH in Wetzlar und MueTec Automatisierte Messtechnik GmbH in München wurde dieses so genannte AGID-Verfahren (Alternating Grazing Incidence Dark field microscopy) im Detail untersucht und ein entsprechender Messplatz entwickelt. Abb. 2 zeigt den realisierten experimentelle Aufbau.
Als Beleuchtung werden zwei UV-Laser mit der Wellenlänge 374 nm eingesetzt. Die Optiken vor dem Laser dienen zur Einstellung der Strahlparameter und der Polarisation. Hiermit sind quantitative Messungen für isolierte Strukturen bis hinab zu 130 nm demonstriert worden, Messungen an nur 100 nm breiten Strukturen sind möglich.


Ansprechpartner

Dr. Bernd Bodermann
Tel.: 0531 592-4222
Fax: 0531 592-4264
E-Mail: Bernd Bodermann
Dipl.-Ing. (FH) Detlef Bergmann
Tel.: 0531 592-4226
Fax: 0531 592-694226
E-Mail: Detlef Bergmann

© Physikalisch-Technische Bundesanstalt, letzte Änderung: 2010-03-12, Webmaster Abteilung 4 Seite drucken DruckansichtPDF-Export PDF