zum Seiteninhalt

Physikalisch-Technische Bundesanstalt

FachabteilungenAbt. 4 Optik 4.2 Bild- und Wellenoptik4.22 Quantitative Mikroskopie > Rasterelektronenmikroskopie zur Charakterisierung von Mikro- und Nanostrukturen
Quantitative Mikroskopie
Arbeitsgruppe 4.22

Rasterelektronenmikroskopie zur Charakterisierung von Mikro- und Nanostrukturen

Der Arbeitsgruppe steht ein Rasterelektronenmikroskop (REM) des Typs Zeiss Supra 35 VP zur Verfügung, das in einer Reinraumumgebung installiert ist (siehe Bild 1).

Bild 1: Rasterelektronenmikroskop Zeiss Typ Supra 35 VP

Das Gerät wird u.a. zur Untersuchung von Strukturen eingesetzt, die als Strukturbreiten­normale für die optische Metrologie verwendet werden. Das Gerät liefert wertvolle Daten über die Mikro- und Nanostrukturen, z.B. Aussagen über die Kantenqualität der Strukturen.

Eine Besonderheit des Gerätes ist die Option, Aufnahmen bei einem Gasdruck von etwa 10 bis etwa 100 Pa in der Probenkammer durchzuführen. Dies ermöglicht die Aufnahme auch von nichtleitenden Proben.

Quantitative Auswertung der REM-Aufnahmen

Zur Auswertung der REM-Aufnahmen von Mikro-und Nanostrukturen wurde zusammen mit dem Fachbereich 5.2 der PTB ein Modell der elektronenoptischen Abbildung entwickelt, bei dem gerätespezifische Parameter und Objektparameter berücksichtigt werden. Es können mit Hilfe dieses Modells die Kantenpositionen der abgebildeten Objekte bestimmt werden.

Bild 2 zeigt als Beispiel eine REM-Aufnahme eines ca. 300 nm breiten Si-Stegs mit senkrechten Kanten. Die Grafiken in Bild 3 zeigen die gemessenen REM-Signalstärken für beide Kanten und die dazugehörigen Modellkurven mit den daraus ermittelten Kantenpositionen.

Das Modell ist auch für Strukturen mit nicht-senkrechten Kanten anwendbar, siehe Bild 4. Man erhält dann aus dem Modell die Positionen der Kanten am Boden und am oberen Plateau der Struktur. 

Bild 2: REM-Aufnahme eines 300 nm breiten Steges aus Silizium und REM-Signalstärke senkrecht zu dem Steg (gelb)

Bild 3: REM-Signalstärke (schwarze Punkte) und Modellkurven (blaue Linien) und die aus dem Modell abgeleiteten Kantenpositionen (rote senkrechte Striche) für den Steg in Bild 1

Bild 4: Anwendung des Kantenoperators für eine Struktur mit nicht-senkrechten Kanten: Die Modellkurve gibt das gemessene REM-Profil gut wieder.


Ansprechpartner

Dr. Egbert Buhr
Tel.: 0531 592-4200
Fax: 0531 592-4205
E-Mail: Egbert Buhr

Dipl.-Ing. (FH) Detlef Bergmann
Tel.: 0531 592-4226
Fax: 0531 592-4264
E-Mail: Detlef Bergmann

© Physikalisch-Technische Bundesanstalt, letzte Änderung: 2012-10-05, Webmaster Abteilung 4 Seite drucken DruckansichtPDF-Export PDF