Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB): Molekularstrahlepitaxie (MBE)

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Molekularstrahlepitaxie (MBE)

Arbeitsgruppe 2.53

Molekularstrahl-Epitaxieanlage MBE 1

Mit einer MBE-Anlage des Typs "Modular Gen II" werden Halbleiter-Schichtkristalle auf Basis von Gallium-Arsenid hergestellt. Neben Quellen für die Materialien Gallium, Arsen und Aluminium verfügt die Anlage auch über Silizium und Berylliumquellen für die n- und p-Dotierung sowie über eine Indiumquelle. Die Anlage kann Substrate mit einem maximalen Durchmesser von 3" (75 mm) aufnehmen.

Vakuum-Schleusensystem der MBE-Anlage

Vorgereinigte Halbleitersubstrate ("Wafer") werden in einem mehrstufigen Schleusensystem weiter gereinigt und schließlich in die Wachstumskammer transferiert.

Einschleusen eines Substrat-Wafers in die MBE-Anlage
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(JPG 132 KB)

Wachstumskammer der
MBE-Anlage

Nach dem Transfer in diese Kammer werden auf dem Wafer bei einer Temperatur von typischerweise 600° C verschiedene Halbleiterschichten aufgewachsen. Dies ist bis auf eine Atomlage genau kontrollierbar.

Wachstumskammer der MBE-Anlage
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Im Jahr 2007 nehmen wir die neue MBE 2 in Betrieb

Eine Einführung in die Molekularstrahlepitaxie findet man hier...

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