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Production sequence of Si-spheres and interferometrical determination of the sphere volume

Displacement Interferometry

Working Group 5.22

Profile

  • Development of measuring instruments and procedures for the determination of the position of microstructureson 2D-substrates
  • Investigation and improvement of optical and electron-optical measuring procedures for the localization of microstructure edges
  • Calibration of photomasks, microscope scales, line scales and other graduations on planar measurement objects

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Research/Development

Dimensionelle Metrologie an Photomasken- und Halbleiterstrukturen

 

Dimensionelle Metrologie mit dem Rasterelektronenmikroskop (REM)

 

  • Entwicklung von anwendungsspezifischen Kantenoperatoren
  • Untersuchungen zur Charakterisierung des Justagezustandes eines REM
  • Untersuchung und Kalibrierung von nanostrukturierten Gitterteilungen
  • Charakterisierung von REM-Scangeneratoren

 

Entwicklung von Strukturbreiten-Maskennormalen (CD-Normale)

 

Optische Längen- und x-y-Koordinatenmessung auf ebenen Messobjekten

 

  • Nano3: Internationaler Strichmaßvergleich
  • Untersuchungen zur Strukturbreiten-Maßübertragung
  • Hochgenaue Längenmaßweitergabe auf 1D- und 2D-Objekten
  • Untersuchungen an Normalen zur Bestimmung der lithografischen Verkleinerung

 

Rastersondenmikroskopie an größeren planaren Messobjekten

  • Messtechnische Eigenschaften der Nanostation 300
  • Entwicklung von kantensensitiven Messverfahren

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Services

Mess- und Kalibriermöglichkeiten

Das Leistungsangebot für Kalibrierungen und Prüfungen ist im Qualitätsmanagementhandbuch aufgeführt. Auf Seite 8 und 9, Positionen 083 bis 090, sind die Werte der Arbeitsgruppe 5.22 zu finden. 

 

1D und 2D-Präzisionsteilungen

Präzisionsstrichmaßstäbe, Masken, Mikrostrukturen

Messgröße / Gegenstand

Messverfahren/
Messgerät

Messbereich

Messunsicherheit (k=2)
Q[a; b] bedeutet 
Ö (a²+b²)

Teilstrichabstände auf Strichmaßstäben

LMS 2020

bis 280 mm

Q[10; 0,15L] in nm;
L in mm

Teilstrichabstände auf Objektmikrometern

LMS 2020

bis 10 mm

50 nm

2D-Positionen von Mikrostrukturen auf Masken

LMS 2020

bis 200 mm
(9 inch)

Q[10; 0,2L] in nm;
L in mm

Abweichungen von Sollpositionen von Mikrostrukturen auf Masken

LMS 2020

bis 200 mm
(9 inch)

10 nm

Linienbreiten von Mikrostrukturen, optisch in Reflexion

LMS 2020

> 0,5 µm

> 50 nm

Linienbreiten von Mikrostrukturen, REM

EOMS

> 0,1 µm

> 20 nm

Mittlere Periodenlängen von Gitterteilungen

EOMS

Periodenlängen > 100 nm

> 1 nm

 

 

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Information

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